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製品情報

ガス精製装置

半導体の製造工程において、各種の材料ガス・キャリアガスが使用されます。良質な半導体を形成するために、御使用になるガスの種類に応じた、最適な精製装置をご提案します。

常温吸着式精製装置　Model-VPE　AN/AAR/AHE/AH/AAM

VPEシリーズ精製装置

特長

当社が開発した独自の触媒により、ガスの高鈍度精製が可能です。
精製系列の切換は、原料ガスの流量および不鈍物濃度に適応した最適な系列切換時間を設定できます。また、精製ガスの流量積算値による系列切換もできますので、低流量で使用した場合は系列切換時間が延びるため省エネになります。
省設置スペースを実現しました。（当社比18％減）
メンテナンススペースは装置正面と背面を基本とし、装置側面は密着設置ができます。（但し、耐震金具のスペースは必要です。）
名規格に対応（SEMI、ASME、ML等）

装置性能

型式 VPE-		AN		AAR		AHE		AAM		AH
適用ガス		N2		Ar		He		NH3		H2
		Inlet	Outlet	Inlet	Outlet	Inlet	Outlet	Inlet	Outlet	Inlet	Outlet
最大圧力（Mpa）		0.8	≦⊿0.1	0.8	≦⊿0.15	0.8	≦⊿0.1	0.8	≦⊿0.1	0.8	≦⊿0.1
温度（℃）		5～35						22～35		5～35
各不純物（vol,ppb）	O2	1,000	≦5（標準） ≦0.1（Option）	1,000	≦5（標準） ≦0.1（Option）	1,000	≦5（標準） ≦0.1（Option）	2,000	≦5	1,000	≦1（標準） ≦0.1（Option）
	CO	1,000	≦5（標準） ≦0.1（Option）	1,000	≦5（標準） ≦0.1（Option）	1,000	≦5（標準） ≦0.1（Option）	-	-	1,000	≦5（標準） ≦0.1（Option）
	CO2	500	≦5（標準） ≦0.1（Option）	500	≦5（標準） ≦0.1（Option）	500	≦5（標準） ≦0.1（Option）	-	-	500	≦5（標準） ≦1（Option）
	H2	1,000	≦5（標準） ≦0.1（Option）	1,000	≦5（標準） ≦0.1（Option）	1,000	≦5（標準） ≦0.1（Option）	-	-	-	-
	H2O	2,600	≦5（標準） ≦0.1（Option）	2,600	≦5（標準） ≦0.1（Option）	2,600	≦5（標準） ≦0.1（Option）	2,600	≦55（標準） ≦5（Option）	2,600	≦5（標準） ≦1（Option）
	Particle		≧0.1μm （≦1pcs/cf）※1		≧0.1μm （≦1pcs/cf）※1		≧0.1μm （≦1pcs/cf）※1		≧0.1μm （≦1pcs/cf）※1		≧0.1μm （≦1pcs/cf）※1

※1　出口パーティクル値の保証をご希望の場合は、精製ガスパーティクルフィルタ（オプション）を選択ください。

装置仕様

Model VPE-		1.5	2	2.5	3	4	6	8	10	12	18
標準流量 [Nm3/h]		5	10	20	30	50	100	200	300	500	1,000
型式（適用ガス）	AN （N2）	●	●	●	●	●	●	●	●	●	●
	AAR （Ar）	●	●	●	●	●	●	●	●	●	-
	AHE （He）	●	●	●	●	●	●	●	●	●	-
	AH （H2）	●	●	●	●	●	●	●	●	●	-
	AAM （NH3）	●	●	●	●	●	●	-	-	-	-
寸法 [mm]	幅	400			700		750	950	1,200		1,555
	奥行	600			650		600	750	950		1,220
	高さ	1,880			2,000		2,000	2,000	2,200		2,590
重量 [kg]		150	200	250	350	400	600	750	900	1,100	1,600

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