本装置は半導体製造装置により排出されるSiH4等の水素化合物、C2F6、SF6等のフッ素化合物等の排ガスを燃焼バーナーの熱排ガスを利用して熱分解させることにより処理します。
また、熱分解後の生成物(SiO2粉、酸性ガス等)は同パッケージ内のウェットスクラバーにて後処理します。
特長
- 燃焼ノズルと二次燃焼室を分離することにより、流量変動時に安定燃焼が可能です。
- 最大処理流量500ℓ/min(4ポートまで対応可)の排ガスに対応可能です。
- 壁Airにより、燃焼室内の副生成物付着を防止します。
- 燃焼筒直後の水噴霧による直接冷却方式の採用により、省スペース化を実現しました。
- ウェットスクラバータンク内循環水の常時攪拌により、SiO2粉スラリーによる循環ポンプトラブルを防止します。
- 各種センサーを装備することにより、安全対策は万全です。
- タッチパネルにより、操作および運転状態の確認が容易です。