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排ガス処理装置一覧

半導体製造に欠くことの出来ない排ガス処理技術分野での数多くの実績を有し、更に多様化するニーズに多彩な技術と最新鋭設備でお応えします。

PFC触媒加熱分解装置 　MODEL-WGF

本装置は、CF4、C2F6、C5F8等のPFCを始め、SF6およびHFCの完全分解が可能です。また、ヒーター加熱方式によりプロパン等の燃焼燃料を必要とせず、CO2の排出量を最小限に抑えることができます。

特長

  • 付帯設備を必要としないため、省スペース、低ランニングコストを実現しました。
  • 火炎、燃料が不要ですので、高い安全性があります。
  • 分解温度が比較的低温のためサーマルNOxの発生がありません。
  • 触媒成分がフッ素化合物の吸収固定も行うためウェットスクラバー等の後処理装置が不要です。

装置性能

最大処理流量
[ℓ/min]		 80(添加Air含む)
最大PFC濃度(%) 1.0※1
PFC分解率 99.9%以上
CF4処理量(ℓ/本) 1,500
除害対象ガス CF4、C2F6、SF6、CO、CHF3等

※1 CO濃度は、4.0%となります。

概略図（前処理筒付）

ユーティリティ

バージ用
N2(ℓ/min)		 ～80
添加 Air(ℓ/min) ～20
添加 H2O(ℓ/min) 若干量
冷却水(ℓ/min) 13
装置寸法
W×D×H(mm)		 1,250×1,050×2,000
(前処理筒無し)
1,500×1,050×2,000
(前処理筒付)

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燃焼ノズルと二次燃焼室を分離することにより、流量変動時に安定燃焼が可能です。

本装置は主にGaN製造プロセスの排ガス処理を目的とした除害装置です。